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TF252TH-4-TL-H

TF252TH-4-TL-H

참조 용

부품 번호 TF252TH-4-TL-H
PNEDA 부품 번호 TF252TH-4-TL-H
설명 JFET N-CH 1MA 100MW VTFP
제조업체 ON Semiconductor
단가
1 ---------- $0.4344
500 ---------- $0.4141
1,000 ---------- $0.3937
2,500 ---------- $0.3733
5,000 ---------- $0.3564
10,000 ---------- $0.3394
재고 있음 20,095
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TF252TH-4-TL-H 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호TF252TH-4-TL-H
분류반도체트랜지스터트랜지스터-JFET
데이터 시트
TF252TH-4-TL-H, TF252TH-4-TL-H 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 327.33 KB)
PDFTF252TH-4-TL-H 데이터 시트 표지
TF252TH-4-TL-H 데이터 시트 페이지 2 TF252TH-4-TL-H 데이터 시트 페이지 3 TF252TH-4-TL-H 데이터 시트 페이지 4 TF252TH-4-TL-H 데이터 시트 페이지 5 TF252TH-4-TL-H 데이터 시트 페이지 6 TF252TH-4-TL-H 데이터 시트 페이지 7

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  • TF252TH-4-TL-H Distributor

TF252TH-4-TL-H 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS)-
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)140µA @ 2V
전류 드레인 (Id)-최대1mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id100mV @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds3.1pF @ 2V
저항-RDS (켜짐)-
전력-최대100mW
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스3-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지3-VTFP

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-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

5mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

3V @ 1nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2.2pF @ 15V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

350mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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ON Semiconductor

제조업체

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시리즈

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FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

15V

드레인-소스 전압 (Vdss)

15V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

32mA @ 5V

전류 드레인 (Id)-최대

50mA

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

700mV @ 100µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

10pF @ 5V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

200mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

30V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

8mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

800mV @ 4nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

18pF @ 10V (VGS)

저항-RDS (켜짐)

60 Ohms

전력-최대

350mW

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

J271

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

30V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

6mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

1.5V @ 1nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

350mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

2N4338-2

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시리즈

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FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

50V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

200µA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

300mV @ 100nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7pF @ 15V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

300mW

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