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TF252TH-4A-TL-H

TF252TH-4A-TL-H

참조 용

부품 번호 TF252TH-4A-TL-H
PNEDA 부품 번호 TF252TH-4A-TL-H
설명 JFET N-CH 1MA 100MW
제조업체 ON Semiconductor
단가
1 ---------- $0.6627
500 ---------- $0.6316
1,000 ---------- $0.6005
2,500 ---------- $0.5695
5,000 ---------- $0.5436
10,000 ---------- $0.5177
재고 있음 157,398
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

TF252TH-4A-TL-H 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호TF252TH-4A-TL-H
분류반도체트랜지스터트랜지스터-JFET

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  • TF252TH-4A-TL-H Distributor

TF252TH-4A-TL-H 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS)-
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)140µA @ 2V
전류 드레인 (Id)-최대1mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id100mV @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds3.1pF @ 2V
저항-RDS (켜짐)-
전력-최대100mW
작동 온도-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스3-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지VTFP

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ON Semiconductor

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N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

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드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

5mA @ 10V

전류 드레인 (Id)-최대

20mA

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

9pF @ 10V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

200mW

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

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전압-항복 (V (BR) GSS)

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드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

6mA @ 10V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

1V @ 1nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3pF @ 10V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

500mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

30V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

50mA @ 20V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

4V @ 1nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

14pF @ 20V

저항-RDS (켜짐)

30 Ohms

전력-최대

625mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

50µA @ 10V

전류 드레인 (Id)-최대

1mA

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

0.7pF @ 10V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

30mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

3-SMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

3-USFP

J106_D26Z

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

25V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

200mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

2V @ 1µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

저항-RDS (켜짐)

6 Ohms

전력-최대

625mW

작동 온도

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