TF252TH-4A-TL-H
참조 용
| 부품 번호 | TF252TH-4A-TL-H | ||||||||||||||||||
| PNEDA 부품 번호 | TF252TH-4A-TL-H | ||||||||||||||||||
| 설명 | JFET N-CH 1MA 100MW | ||||||||||||||||||
| 제조업체 | ON Semiconductor | ||||||||||||||||||
| 단가 |
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| 재고 있음 | 157,398 | ||||||||||||||||||
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 예상 배송 | 3월 25 - 3월 30 (신속 배송 선택) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * | ||||||||||||||||||
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TF252TH-4A-TL-H 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | TF252TH-4A-TL-H |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-JFET |
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TF252TH-4A-TL-H 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | N-Channel |
| 전압-항복 (V (BR) GSS) | - |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | - |
| 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 140µA @ 2V |
| 전류 드레인 (Id)-최대 | 1mA |
| 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id | 100mV @ 1µA |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 3.1pF @ 2V |
| 저항-RDS (켜짐) | - |
| 전력-최대 | 100mW |
| 작동 온도 | - |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 3-SMD, Flat Leads |
| 공급자 장치 패키지 | VTFP |
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 * FET 유형 - 전압-항복 (V (BR) GSS) - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) - 전류 드레인 (Id)-최대 - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 저항-RDS (켜짐) - 전력-최대 - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 Military, MIL-PRF-19500/431 FET 유형 N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS) 40V 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 30mA @ 20V 전류 드레인 (Id)-최대 - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 16pF @ 20V 저항-RDS (켜짐) 30 Ohms 전력-최대 360mW 작동 온도 -65°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 3-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지 3-UB (3.09x2.45) |
