TFZGTR2.0B
참조 용
| 부품 번호 | TFZGTR2.0B |
| PNEDA 부품 번호 | TFZGTR2-0B |
| 설명 | DIODE ZENER 2V 500MW TUMD2 |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,390 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 5월 6 - 5월 11 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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TFZGTR2.0B 리소스
| 브랜드 | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | TFZGTR2.0B |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 제너 다이오드-단일 |
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TFZGTR2.0B 사양
| 제조업체 | Rohm Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| 전압-제너 (Nom) (Vz) | 2V |
| 공차 | - |
| 전력-최대 | 500mW |
| 임피던스 (최대) (Zzt) | - |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | - |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | - |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 2-SMD, Flat Lead |
| 공급자 장치 패키지 | TUMD2 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 13V 공차 ±5% 전력-최대 5W 임피던스 (최대) (Zzt) 3 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 10µA @ 9.9V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.5V @ 1A 작동 온도 -65°C ~ 175°C 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 E, Axial 공급자 장치 패키지 - |
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제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 Automotive, AEC-Q101 전압-제너 (Nom) (Vz) 11V 공차 ±5% 전력-최대 500mW 임피던스 (최대) (Zzt) 22 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 2µA @ 8.4V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.1V @ 200mA 작동 온도 175°C 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-204AH, DO-35, Axial 공급자 장치 패키지 DO-35 |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 Military, MIL-PRF-19500/356 전압-제너 (Nom) (Vz) 5.6V 공차 ±5% 전력-최대 5W 임피던스 (최대) (Zzt) 1 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 5000µA @ 4.28V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.5V @ 1A 작동 온도 -65°C ~ 175°C 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 E, Axial 공급자 장치 패키지 E, Axial |
