TH58BYG2S3HBAI4
참조 용
| 부품 번호 | TH58BYG2S3HBAI4 |
| PNEDA 부품 번호 | TH58BYG2S3HBAI4 |
| 설명 | 4G SLC NAND BGA 24NM |
| 제조업체 | Toshiba Memory America, Inc. |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,272 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 12월 6 - 12월 11 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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TH58BYG2S3HBAI4 리소스
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TH58BYG2S3HBAI4 사양
| 제조업체 | Toshiba Memory America, Inc. |
| 시리즈 | Benand™ |
| 메모리 유형 | Non-Volatile |
| 메모리 포맷 | FLASH |
| 기술 | FLASH - NAND (SLC) |
| 메모리 크기 | 4Gb (512M x 8) |
| 메모리 인터페이스 | - |
| 시계 주파수 | - |
| 쓰기주기 시간-단어, 페이지 | - |
| 접근 시간 | - |
| 전압-공급 | - |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 63-VFBGA |
| 공급자 장치 패키지 | 63-TFBGA (9x11) |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Micron Technology Inc. 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM - DDR 메모리 크기 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 167MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 15ns 접근 시간 700ps 전압-공급 2.3V ~ 2.7V 작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지 66-TSOP |
제조업체 STMicroelectronics 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 EEPROM 기술 EEPROM 메모리 크기 1Kb (128 x 8) 메모리 인터페이스 I²C 시계 주파수 400kHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 5ms 접근 시간 900ns 전압-공급 2.5V ~ 5.5V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 Fremont Micro Devices Ltd 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 EEPROM 기술 EEPROM 메모리 크기 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스 I²C 시계 주파수 1MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 5ms 접근 시간 550ns 전압-공급 1.8V ~ 5.5V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 공급자 장치 패키지 8-MSOP |
제조업체 Fremont Micro Devices Ltd 시리즈 * 메모리 유형 - 메모리 포맷 - 기술 - 메모리 크기 - 메모리 인터페이스 - 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 - 전압-공급 - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
