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THGBMHG6C1LBAW6

THGBMHG6C1LBAW6

참조 용

부품 번호 THGBMHG6C1LBAW6
PNEDA 부품 번호 THGBMHG6C1LBAW6
설명 IC FLASH MEM MMC 153FBGA
제조업체 Toshiba Memory America, Inc.
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THGBMHG6C1LBAW6 리소스

브랜드 Toshiba Memory America, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호THGBMHG6C1LBAW6
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
THGBMHG6C1LBAW6, THGBMHG6C1LBAW6 데이터 시트 (총 페이지: 20, 크기: 2,312.2 KB)
PDFTHGBMHG8C4LBAW7 데이터 시트 표지
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  • THGBMHG6C1LBAW6 Distributor

THGBMHG6C1LBAW6 사양

제조업체Toshiba Memory America, Inc.
시리즈-
메모리 유형-
메모리 포맷-
기술-
메모리 크기-
메모리 인터페이스-
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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EEPROM

메모리 크기

1Kb (128 x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

2MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

6ms

접근 시간

-

전압-공급

1.8V ~ 5.5V

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Die

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Alliance Memory, Inc.

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메모리 유형

Volatile

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기술

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메모리 크기

1Mb (128K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

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접근 시간

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Micron Technology Inc.

시리즈

*

메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

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패키지 / 케이스

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제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

1Kb (128 x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

2MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

2ms

접근 시간

-

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-PDIP

MT46H32M32LFMA-6 IT:B TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR

메모리 크기

1Gb (32M x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

5.0ns

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

168-WFBGA

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168-WFBGA (12x12)

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