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THGBMHG7C1LBAIL

THGBMHG7C1LBAIL

참조 용

부품 번호 THGBMHG7C1LBAIL
PNEDA 부품 번호 THGBMHG7C1LBAIL
설명 IC FLASH 128G MMC 153WFBGA
제조업체 Toshiba Memory America, Inc.
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재고 있음 1,913
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예상 배송 12월 6 - 12월 11 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

THGBMHG7C1LBAIL 리소스

브랜드 Toshiba Memory America, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호THGBMHG7C1LBAIL
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
THGBMHG7C1LBAIL, THGBMHG7C1LBAIL 데이터 시트 (총 페이지: 36, 크기: 1,710.12 KB)
PDFTHGBMHG7C1LBAIL 데이터 시트 표지
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  • THGBMHG7C1LBAIL Distributor

THGBMHG7C1LBAIL 사양

제조업체Toshiba Memory America, Inc.
시리즈e•MMC™
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH - NAND
메모리 크기128Gb (16G x 8)
메모리 인터페이스eMMC
시계 주파수52MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급2.7V ~ 3.6V
작동 온도-25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스153-WFBGA
공급자 장치 패키지153-WFBGA (11.5x13)

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Microchip Technology

시리즈

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메모리 유형

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메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

2Kb (256 x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

400kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ms

접근 시간

900ns

전압-공급

2.7V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

8-TSSOP

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제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

36Mb (1M x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

3.8ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-TBGA

공급자 장치 패키지

165-TFBGA (13x15)

MT29F4G16ABBDAH4:D TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

4Gb (256M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

63-VFBGA

공급자 장치 패키지

63-VFBGA (9x11)

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Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

128Kb (16K x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

1MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ms

접근 시간

550ns

전압-공급

2.7V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

SST26VF032BAT-104I/MF

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

SST26 SQI®

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

32Mb (4M x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O

시계 주파수

104MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

1.5ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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