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TIP110G

TIP110G

참조 용

부품 번호 TIP110G
PNEDA 부품 번호 TIP110G
설명 TRANS NPN DARL 60V 2A TO220AB
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 22,986
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 10 - 2월 15 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

TIP110G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호TIP110G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
TIP110G, TIP110G 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 142.81 KB)
PDFTIP116 데이터 시트 표지
TIP116 데이터 시트 페이지 2 TIP116 데이터 시트 페이지 3 TIP116 데이터 시트 페이지 4 TIP116 데이터 시트 페이지 5 TIP116 데이터 시트 페이지 6 TIP116 데이터 시트 페이지 7 TIP116 데이터 시트 페이지 8

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TIP110G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대)2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic2.5V @ 8mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대)2mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce1000 @ 1A, 4V
전력-최대2W
주파수-전환-
작동 온도-65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-3
공급자 장치 패키지TO-220AB

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

3A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.2V @ 375mA, 3A

전류-수집기 차단 (최대)

300µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

10 @ 3A, 4V

전력-최대

2W

주파수-전환

3MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220-3

SMMBT2369ALT1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

200mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

15V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 10mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

400nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

20 @ 100mA, 1V

전력-최대

225mW

주파수-전환

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3 (TO-236)

BC559BTA

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

15nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 5V

전력-최대

500mW

주파수-전환

150MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

2SD2015

Sanken

제조업체

Sanken

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

4A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

120V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 2mA, 2A

전류-수집기 차단 (최대)

10µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

2000 @ 2A, 2V

전력-최대

25W

주파수-전환

40MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220F

JANTXV2N6283

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/504

트랜지스터 유형

NPN - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

3V @ 200mA, 20A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

1250 @ 10A, 3V

전력-최대

175W

주파수-전환

-

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-204AA, TO-3

공급자 장치 패키지

TO-204AA (TO-3)

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