TK14A45D(STA4,Q,M)
참조 용
| 부품 번호 | TK14A45D(STA4,Q,M) |
| PNEDA 부품 번호 | TK14A45D-STA4-Q-M |
| 설명 | MOSFET N-CH 450V 14A TO-220SIS |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,642 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 25 - 3월 2 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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TK14A45D(STA4 리소스
| 브랜드 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | TK14A45D(STA4,Q,M) |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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- TK14A45D(STA4,Q,M) Distributor
TK14A45D(STA4 사양
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 450V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 14A |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | - |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 340mOhm @ 7A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | - |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | - |
| Vgs (최대) | - |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | - |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | - |
| 작동 온도 | - |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 공급자 장치 패키지 | TO-220SIS |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 Full Pack |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 Automotive, AEC-Q101 FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 25A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 20mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3.6V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 10.2nC @ 10V Vgs (최대) +20V, -10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 598pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 38W (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 LFPAK33 패키지 / 케이스 SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) |
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 * FET 유형 - 기술 - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - FET 기능 - 전력 손실 (최대) - 작동 온도 - 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-92MOD 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 TrenchMOS™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) - Rds On (최대) @ Id, Vgs 3mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.15V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 45.8nC @ 10V Vgs (최대) - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2822pF @ 12V FET 기능 - 전력 손실 (최대) - 작동 온도 - 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 LFPAK56, Power-SO8 패키지 / 케이스 SC-100, SOT-669 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 CoolMOS™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 21.7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 185mOhm @ 15.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 1.2mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 143nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3160pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 240W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 PG-TO247-3 패키지 / 케이스 TO-247-3 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 72A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 12mOhm @ 43A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 110nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1985pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 150W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-220AB 패키지 / 케이스 TO-220-3 |
