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TK14C65W5,S1Q

TK14C65W5,S1Q

참조 용

부품 번호 TK14C65W5,S1Q
PNEDA 부품 번호 TK14C65W5-S1Q
설명 MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
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TK14C65W5 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호TK14C65W5,S1Q
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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TK14C65W5 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈DTMOSIV
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)13.7A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs300mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4.5V @ 690µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs40nC @ 10V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1300pF @ 300V
FET 기능-
전력 손실 (최대)130W (Tc)
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지I2PAK
패키지 / 케이스TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

DTMOSV

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

11.5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

290mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 450µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

730pF @ 300V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

100W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

DPAK

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.7A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

62mOhm @ 4.9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

34nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

710pF @ 25V

FET 기능

Schottky Diode (Isolated)

전력 손실 (최대)

2W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

DMNH6008SCTQ

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

130A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

21nC @ 10V

Vgs (최대)

20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2596pF @ 30V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

210W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220AB

패키지 / 케이스

TO-220-3

FQI9N08LTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

80V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9.3A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

210mOhm @ 4.65A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6.1nC @ 5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

280pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.75W (Ta), 40W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

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드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-

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