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TK20E60W,S1VX

TK20E60W,S1VX

참조 용

부품 번호 TK20E60W,S1VX
PNEDA 부품 번호 TK20E60W-S1VX
설명 MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
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예상 배송 4월 6 - 4월 11 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

TK20E60W 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호TK20E60W,S1VX
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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TK20E60W 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈DTMOSIV
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)20A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs155mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3.7V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs48nC @ 10V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1680pF @ 300V
FET 기능-
전력 손실 (최대)165W (Tc)
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-220
패키지 / 케이스TO-220-3

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Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

SiCFET (Silicon Carbide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

650V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

93A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

18V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

28.6mOhm @ 36A, 18V

Vgs (th) (최대) @ Id

5.6V @ 18.2mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

133nC @ 18V

Vgs (최대)

+22V, -4V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2208pF @ 500V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

339W

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-247N

패키지 / 케이스

TO-247-3

FQU1N50TU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

QFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.1A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9Ohm @ 550mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5.5nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

150pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta), 25W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

I-PAK

패키지 / 케이스

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFET™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

30A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

200mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

6.5V @ 4mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

62nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3200pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

690W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-247AD (IXFH)

패키지 / 케이스

TO-247-3

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFET™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

165A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8mOhm @ 90A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 8mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

400nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

9400pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

400W (Tc)

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

ECO-PAC2

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ON Semiconductor

제조업체

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.6A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

29mOhm @ 7.6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11nC @ 5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

760pF @ 20V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

5W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

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