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TK20V60W5,LVQ

TK20V60W5,LVQ

참조 용

부품 번호 TK20V60W5,LVQ
PNEDA 부품 번호 TK20V60W5-LVQ
설명 MOSFET N-CH 600V 20A 5DFN
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

TK20V60W5 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호TK20V60W5,LVQ
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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TK20V60W5 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈DTMOSIV
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)20A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs190mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs55nC @ 10V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1800pF @ 300V
FET 기능-
전력 손실 (최대)156W (Tc)
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지4-DFN-EP (8x8)
패키지 / 케이스4-VSFN Exposed Pad

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드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

85V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

50A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

23mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 25µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

34nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1460pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

130W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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FET 유형

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기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

700V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8.5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

600mOhm @ 1.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 90µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10.5nC @ 10V

Vgs (최대)

±16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

364pF @ 400V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

6.9W (Tc)

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

45A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

95mOhm @ 32A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

6.5V @ 4mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

145nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6950pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

500W (Tc)

작동 온도

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장착 유형

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Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

105pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

400mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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