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TK33S10N1Z,LQ

TK33S10N1Z,LQ

참조 용

부품 번호 TK33S10N1Z,LQ
PNEDA 부품 번호 TK33S10N1Z-LQ
설명 MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
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TK33S10N1Z 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호TK33S10N1Z,LQ
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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TK33S10N1Z 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈U-MOSVIII-H
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)33A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 500µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs28nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2050pF @ 10V
FET 기능-
전력 손실 (최대)125W (Tc)
작동 온도175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지DPAK+
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

50A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.5mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

123nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3950pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

69W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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FET 유형

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기술

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드레인-소스 전압 (Vdss)

80V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

6V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.8V @ 95µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

76nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5600pF @ 40V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta), 139W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PG-TDSON-8-7

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

IRLR4343TRL

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

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기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

26A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

50mOhm @ 4.7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

42nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

740pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

79W (Tc)

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D-Pak

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

SI7478DP-T1-E3

Vishay Siliconix

제조업체

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드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

240mOhm @ 5.5A, 10V

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게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

23nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

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FET 기능

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전력 손실 (최대)

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