TK35S04K3L(T6L1,NQ
참조 용
| 부품 번호 | TK35S04K3L(T6L1,NQ |
| PNEDA 부품 번호 | TK35S04K3L-T6L1-NQ |
| 설명 | MOSFET N-CH 40V 35A DPAK-3 |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,398 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 20 - 2월 25 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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TK35S04K3L(T6L1 리소스
| 브랜드 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | TK35S04K3L(T6L1,NQ |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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TK35S04K3L(T6L1 사양
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 시리즈 | U-MOSIV |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 40V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 35A (Ta) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 6V, 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 10.3mOhm @ 17.5A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 3V @ 1mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 28nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1370pF @ 10V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 58W (Tc) |
| 작동 온도 | 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | DPAK+ |
| 패키지 / 케이스 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 55A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 19mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 115nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3500pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 3.75W (Ta), 125W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 TO-263 (D2Pak) 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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