TK39A60W,S4VX
참조 용
| 부품 번호 | TK39A60W,S4VX |
| PNEDA 부품 번호 | TK39A60W-S4VX |
| 설명 | MOSFET N-CH 600V 39A TO220-3 |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,716 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 15 - 3월 20 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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TK39A60W 리소스
| 브랜드 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | TK39A60W,S4VX |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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TK39A60W 사양
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 시리즈 | DTMOSIV |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 600V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 38.8A (Ta) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 19.4A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 3.7V @ 1.9mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 110nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±30V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 4100pF @ 300V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 50W (Tc) |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 공급자 장치 패키지 | TO-220SIS |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 Full Pack |
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제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6.8A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 12.5mOhm @ 8A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 850mV @ 450µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 70nC @ 4.5V Vgs (최대) ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1.05W (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 8-TSSOP 패키지 / 케이스 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 120mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 3.6nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 170pF @ 20V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 460mW (Ta), 5W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 TO-236AB 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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