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TK6A55DA(STA4,Q,M)

TK6A55DA(STA4,Q,M)

참조 용

부품 번호 TK6A55DA(STA4,Q,M)
PNEDA 부품 번호 TK6A55DA-STA4-Q-M
설명 MOSFET N-CH 550V 5.5A TO-220SIS
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가 견적 요청
재고 있음 5,220
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 22 - 4월 27 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

TK6A55DA(STA4 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호TK6A55DA(STA4,Q,M)
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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TK6A55DA(STA4 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈π-MOSVII
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)550V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)5.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs1.48Ohm @ 2.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4.4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs12nC @ 10V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds600pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)35W (Tc)
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-220SIS
패키지 / 케이스TO-220-3 Full Pack

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 3.75A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

36nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1255pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.13W (Ta), 147W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

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제조업체

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시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

23A (Ta), 70A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

70nC @ 10V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2830pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

6.2W (Ta), 78W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-251A

패키지 / 케이스

TO-251-3 Stub Leads, IPak

SPD30N03S2L10T

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

30A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

10mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 50µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

41.8nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1550pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

100W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PG-TO252-3

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

제조업체

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시리즈

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FET 유형

N-Channel

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

570mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

920mOhm @ 300mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.05nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

23pF @ 30V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

560mW (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

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FET 유형

N-Channel

기술

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드레인-소스 전압 (Vdss)

700V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

450mOhm @ 2.3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 120µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

13.1nC @ 10V

Vgs (최대)

±16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

424pF @ 400V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

22.7W (Tc)

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

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