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TK7P60W,RVQ

TK7P60W,RVQ

참조 용

부품 번호 TK7P60W,RVQ
PNEDA 부품 번호 TK7P60W-RVQ
설명 MOSFET N CH 600V 7A DPAK
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

TK7P60W 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호TK7P60W,RVQ
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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TK7P60W 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈DTMOSIV
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)7A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs600mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3.7V @ 350µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs15nC @ 10V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds490pF @ 300V
FET 기능Super Junction
전력 손실 (최대)60W (Tc)
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지DPAK
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.5V, 4V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

100mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.4nC @ 4.5V

Vgs (최대)

8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

220pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

150mW (Ta)

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SOT-563

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

SUP90220E-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

ThunderFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

64A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

7.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

48nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1950pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

230W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220AB

패키지 / 케이스

TO-220-3

FDW254PZ

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9.2A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

12mOhm @ 9.2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

96nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5880pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.4W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

IPD50R520CPATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

FET 유형

-

기술

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

공급자 장치 패키지

-

패키지 / 케이스

-

TPS1101DR

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시리즈

-

FET 유형

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드레인-소스 전압 (Vdss)

15V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.3A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.7V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

90mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11.25nC @ 10V

Vgs (최대)

+2V, -15V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

791mW (Ta)

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

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