TLP109(IGM,E)
참조 용
| 부품 번호 | TLP109(IGM,E) |
| PNEDA 부품 번호 | TLP109-IGM-E |
| 설명 | OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 5 LEAD |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,412 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 14 - 4월 19 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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TLP109(IGM 리소스
| 브랜드 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | TLP109(IGM,E) |
| 분류 | 반도체 › 절연체 › 광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 |
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TLP109(IGM 사양
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 시리즈 | - |
| 채널 수 | 1 |
| 전압-절연 | 3750Vrms |
| 전류 전송 비율 (최소) | 25% @ 10mA |
| 전류 전송 비율 (최대) | 75% @ 10mA |
| 켜기 / 끄기 시간 (일반) | 450ns, 450ns |
| 상승 / 하강 시간 (일반) | - |
| 입력 유형 | DC |
| 출력 유형 | Transistor |
| 전압-출력 (최대) | 20V |
| 전류-출력 / 채널 | 8mA |
| 전압-순방향 (Vf) (통상) | 1.64V |
| 전류-DC 순방향 (If) (최대) | 20mA |
| Vce 포화 (최대) | - |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads |
| 공급자 장치 패키지 | 6-SO, 5 Lead |
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제조업체 CEL 시리즈 NEPOC 채널 수 1 전압-절연 3750Vrms 전류 전송 비율 (최소) 100% @ 5mA 전류 전송 비율 (최대) 300% @ 5mA 켜기 / 끄기 시간 (일반) - 상승 / 하강 시간 (일반) 10µs, 10µs 입력 유형 DC 출력 유형 Transistor 전압-출력 (최대) 120V 전류-출력 / 채널 30mA 전압-순방향 (Vf) (통상) 1.1V 전류-DC 순방향 (If) (최대) 50mA Vce 포화 (최대) 300mV 작동 온도 -55°C ~ 100°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 4-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지 4-SOP |
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제조업체 Lite-On Inc. 시리즈 - 채널 수 4 전압-절연 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소) 600% @ 1mA 전류 전송 비율 (최대) 7500% @ 1mA 켜기 / 끄기 시간 (일반) - 상승 / 하강 시간 (일반) 60µs, 53µs 입력 유형 DC 출력 유형 Darlington 전압-출력 (최대) 35V 전류-출력 / 채널 80mA 전압-순방향 (Vf) (통상) 1.2V 전류-DC 순방향 (If) (최대) 50mA Vce 포화 (최대) 1V 작동 온도 -30°C ~ 100°C 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 16-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지 16-DIP |
제조업체 CEL 시리즈 NEPOC 채널 수 2 전압-절연 5000Vrms 전류 전송 비율 (최소) 20% @ 100mA 전류 전송 비율 (최대) 80% @ 100mA 켜기 / 끄기 시간 (일반) - 상승 / 하강 시간 (일반) 3µs, 5µs 입력 유형 AC, DC 출력 유형 Transistor 전압-출력 (최대) 80V 전류-출력 / 채널 50mA 전압-순방향 (Vf) (통상) 1.3V 전류-DC 순방향 (If) (최대) 150mA Vce 포화 (최대) 300mV 작동 온도 -55°C ~ 100°C 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지 8-DIP |
