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TLP184(E)

TLP184(E)

참조 용

부품 번호 TLP184(E)
PNEDA 부품 번호 TLP184-E
설명 OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가 견적 요청
재고 있음 6,288
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 6 - 3월 11 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

TLP184(E) 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호TLP184(E)
분류반도체절연체광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력
데이터 시트
TLP184(E), TLP184(E) 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 384.09 KB)
PDFTLP184(TPL 데이터 시트 표지
TLP184(TPL 데이터 시트 페이지 2 TLP184(TPL 데이터 시트 페이지 3 TLP184(TPL 데이터 시트 페이지 4 TLP184(TPL 데이터 시트 페이지 5 TLP184(TPL 데이터 시트 페이지 6 TLP184(TPL 데이터 시트 페이지 7 TLP184(TPL 데이터 시트 페이지 8 TLP184(TPL 데이터 시트 페이지 9 TLP184(TPL 데이터 시트 페이지 10 TLP184(TPL 데이터 시트 페이지 11

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  • TLP184(E) Distributor

TLP184(E) 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
채널 수1
전압-절연3750Vrms
전류 전송 비율 (최소)50% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대)400% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반)9µs, 9µs
상승 / 하강 시간 (일반)5µs, 9µs
입력 유형AC, DC
출력 유형Transistor
전압-출력 (최대)80V
전류-출력 / 채널50mA
전압-순방향 (Vf) (통상)1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대)50mA
Vce 포화 (최대)300mV
작동 온도-55°C ~ 125°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지6-SO, 4 Lead

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

3750Vrms

전류 전송 비율 (최소)

50% @ 5mA

전류 전송 비율 (최대)

300% @ 5mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

3µs, 3µs

입력 유형

AC, DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

40V

전류-출력 / 채널

80mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.3V (Max)

전류-DC 순방향 (If) (최대)

50mA

Vce 포화 (최대)

300mV

작동 온도

-40°C ~ 100°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-SMD, Gull Wing

공급자 장치 패키지

4-SMD

EL817(S1)(D)(TB)-G

Everlight Electronics Co Ltd

제조업체

Everlight Electronics Co Ltd

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

5000Vrms

전류 전송 비율 (최소)

300% @ 5mA

전류 전송 비율 (최대)

600% @ 5mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

6µs, 8µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

80V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.2V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

60mA

Vce 포화 (최대)

200mV

작동 온도

-55°C ~ 110°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-SMD, Gull Wing

공급자 장치 패키지

4-SMD

TCLT1005

Vishay Semiconductor Opto Division

제조업체

Vishay Semiconductor Opto Division

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

5000Vrms

전류 전송 비율 (최소)

50% @ 5mA

전류 전송 비율 (최대)

150% @ 5mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

6µs, 5µs

상승 / 하강 시간 (일반)

3µs, 4.7µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

70V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.25V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

60mA

Vce 포화 (최대)

300mV

작동 온도

-55°C ~ 100°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-SMD, Gull Wing

공급자 장치 패키지

4-SOP (2.54mm)

4N35(SHORT,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

2500Vrms

전류 전송 비율 (최소)

40% @ 10mA

전류 전송 비율 (최대)

-

켜기 / 끄기 시간 (일반)

3µs, 3µs

상승 / 하강 시간 (일반)

-

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor with Base

전압-출력 (최대)

30V

전류-출력 / 채널

100mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.15V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

60mA

Vce 포화 (최대)

300mV

작동 온도

-55°C ~ 100°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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시리즈

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채널 수

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전압-절연

1500VDC

전류 전송 비율 (최소)

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전류 전송 비율 (최대)

-

켜기 / 끄기 시간 (일반)

400ns, 1µs

상승 / 하강 시간 (일반)

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입력 유형

DC

출력 유형

Transistor with Base

전압-출력 (최대)

20V

전류-출력 / 채널

8mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.55V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

20mA

Vce 포화 (최대)

-

작동 온도

-55°C ~ 125°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD Butt Joint

공급자 장치 패키지

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