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TLP185(GR-TPR,E)

TLP185(GR-TPR,E)

참조 용

부품 번호 TLP185(GR-TPR,E)
PNEDA 부품 번호 TLP185-GR-TPR-E
설명 OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
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재고 있음 412
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 27 - 4월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

TLP185(GR-TPR 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호TLP185(GR-TPR,E)
분류반도체절연체광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력
데이터 시트
TLP185(GR-TPR, TLP185(GR-TPR 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 366.93 KB)
PDFTLP185(TPR 데이터 시트 표지
TLP185(TPR 데이터 시트 페이지 2 TLP185(TPR 데이터 시트 페이지 3 TLP185(TPR 데이터 시트 페이지 4 TLP185(TPR 데이터 시트 페이지 5 TLP185(TPR 데이터 시트 페이지 6 TLP185(TPR 데이터 시트 페이지 7 TLP185(TPR 데이터 시트 페이지 8 TLP185(TPR 데이터 시트 페이지 9 TLP185(TPR 데이터 시트 페이지 10 TLP185(TPR 데이터 시트 페이지 11

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  • TLP185(GR-TPR,E) Distributor

TLP185(GR-TPR 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
채널 수1
전압-절연3750Vrms
전류 전송 비율 (최소)100% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대)300% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반)9µs, 9µs
상승 / 하강 시간 (일반)5µs, 9µs
입력 유형DC
출력 유형Transistor
전압-출력 (최대)80V
전류-출력 / 채널50mA
전압-순방향 (Vf) (통상)1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대)50mA
Vce 포화 (최대)300mV
작동 온도-55°C ~ 110°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지6-SO, 4 Lead

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

5300Vrms

전류 전송 비율 (최소)

50% @ 10mA

전류 전송 비율 (최대)

-

켜기 / 끄기 시간 (일반)

2µs, 2µs

상승 / 하강 시간 (일반)

-

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor with Base

전압-출력 (최대)

30V

전류-출력 / 채널

-

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.18V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

100mA

Vce 포화 (최대)

400mV

작동 온도

-55°C ~ 100°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-SMD, Gull Wing

공급자 장치 패키지

6-SMD

VO615A-X001

Vishay Semiconductor Opto Division

제조업체

Vishay Semiconductor Opto Division

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

5000Vrms

전류 전송 비율 (최소)

50% @ 5mA

전류 전송 비율 (최대)

600% @ 5mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

6µs, 5µs

상승 / 하강 시간 (일반)

3µs, 4.7µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

70V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.43V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

60mA

Vce 포화 (최대)

300mV

작동 온도

-55°C ~ 110°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

4-DIP

PS2381-1Y-M-AX

Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

NEPOC

채널 수

1

전압-절연

5000Vrms

전류 전송 비율 (최소)

50% @ 5mA

전류 전송 비율 (최대)

150% @ 5mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

4µs, 5µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

80V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.1V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

60mA

Vce 포화 (최대)

300mV

작동 온도

-40°C ~ 115°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-SMD, Gull Wing

공급자 장치 패키지

4-LSOP (2.54mm)

FOD2711S

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

5000Vrms

전류 전송 비율 (최소)

100% @ 10mA

전류 전송 비율 (최대)

200% @ 10mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

-

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

30V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.5V (Max)

전류-DC 순방향 (If) (최대)

-

Vce 포화 (최대)

400mV

작동 온도

-40°C ~ 85°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Gull Wing

공급자 장치 패키지

8-SMD

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TT Electronics/Optek Technology

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1

전압-절연

-

전류 전송 비율 (최소)

-

전류 전송 비율 (최대)

-

켜기 / 끄기 시간 (일반)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

-

입력 유형

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Transistor

전압-출력 (최대)

33V

전류-출력 / 채널

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전압-순방향 (Vf) (통상)

2.3V (Max)

전류-DC 순방향 (If) (최대)

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