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TLP293-4(LA-TR,E

TLP293-4(LA-TR,E

참조 용

부품 번호 TLP293-4(LA-TR,E
PNEDA 부품 번호 TLP293-4-LA-TR-E
설명 OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS SO16
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가 견적 요청
재고 있음 8,442
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

TLP293-4(LA-TR 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호TLP293-4(LA-TR,E
분류반도체절연체광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

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  • TLP293-4(LA-TR,E Distributor

TLP293-4(LA-TR 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
채널 수4
전압-절연3750Vrms
전류 전송 비율 (최소)50% @ 500µA
전류 전송 비율 (최대)600% @ 500µA
켜기 / 끄기 시간 (일반)3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반)2µs, 3µs
입력 유형DC
출력 유형Transistor
전압-출력 (최대)80V
전류-출력 / 채널50mA
전압-순방향 (Vf) (통상)1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대)50mA
Vce 포화 (최대)300mV
작동 온도-55°C ~ 125°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스16-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
공급자 장치 패키지16-SO

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전압-절연

4000Vrms

전류 전송 비율 (최소)

32% @ 10mA

전류 전송 비율 (최대)

100% @ 10mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

150ns, 500ns

상승 / 하강 시간 (일반)

-

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

20V

전류-출력 / 채널

8mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.55V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

20mA

Vce 포화 (최대)

-

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 5 Leads

공급자 장치 패키지

5-SO

OPI211

TT Electronics/Optek Technology

제조업체

TT Electronics/Optek Technology

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

1000VDC

전류 전송 비율 (최소)

200% @ 10mA

전류 전송 비율 (최대)

-

켜기 / 끄기 시간 (일반)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

3µs, 3µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

35V

전류-출력 / 채널

-

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.6V (Max)

전류-DC 순방향 (If) (최대)

50mA

Vce 포화 (최대)

300mV

작동 온도

-55°C ~ 125°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-SMD, No Lead

공급자 장치 패키지

4-SMD

FOD2743ATV

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

5000Vrms

전류 전송 비율 (최소)

50% @ 1mA

전류 전송 비율 (최대)

100% @ 1mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

-

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

70V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.07V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

-

Vce 포화 (최대)

400mV

작동 온도

-40°C ~ 85°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.400", 10.16mm)

공급자 장치 패키지

8-MDIP

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

4170Vrms

전류 전송 비율 (최소)

1000% @ 10mA

전류 전송 비율 (최대)

-

켜기 / 끄기 시간 (일반)

5µs, 100µs

상승 / 하강 시간 (일반)

-

입력 유형

DC

출력 유형

Darlington with Base

전압-출력 (최대)

80V

전류-출력 / 채널

-

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.3V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

60mA

Vce 포화 (최대)

1V

작동 온도

-40°C ~ 100°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

6-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

6-DIP

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채널 수

1

전압-절연

3750Vrms

전류 전송 비율 (최소)

300% @ 5mA

전류 전송 비율 (최대)

600% @ 5mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

3µs, 3µs

상승 / 하강 시간 (일반)

2µs, 3µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

80V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.2V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

50mA

Vce 포화 (최대)

400mV

작동 온도

-55°C ~ 110°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

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