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TLP358H(TP1,F)

TLP358H(TP1,F)

참조 용

부품 번호 TLP358H(TP1,F)
PNEDA 부품 번호 TLP358H-TP1-F
설명 OPTOISO 3.75KV 1CH GATE DVR 8SMD
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
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TLP358H(TP1 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호TLP358H(TP1,F)
분류반도체절연체절연체-게이트 드라이버

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TLP358H(TP1 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
기술Optical Coupling
채널 수1
전압-절연3750Vrms
공통 모드 과도 내성 (최소)20kV/µs
전파 지연 tpLH / tpHL (최대)500ns, 500ns
펄스 폭 왜곡 (최대)250ns
상승 / 하강 시간 (일반)17ns, 17ns
전류-출력 높음, 낮음5A, 5A
전류-피크 출력6A
전압-순방향 (Vf) (통상)1.57V
전류-DC 순방향 (If) (최대)20mA
전압-출력 공급15V ~ 30V
작동 온도-40°C ~ 125°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지8-SMD
승인cUL, UL

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2500Vrms

공통 모드 과도 내성 (최소)

35kV/µs

전파 지연 tpLH / tpHL (최대)

40ns, 40ns

펄스 폭 왜곡 (최대)

5.6ns

상승 / 하강 시간 (일반)

12ns, 12ns (Max)

전류-출력 높음, 낮음

2A, 4A

전류-피크 출력

4A

전압-순방향 (Vf) (통상)

-

전류-DC 순방향 (If) (최대)

-

전압-출력 공급

10V ~ 24V

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

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패키지 / 케이스

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

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전압-절연

2500Vrms

공통 모드 과도 내성 (최소)

150kV/µs

전파 지연 tpLH / tpHL (최대)

75ns, 60ns

펄스 폭 왜곡 (최대)

19ns

상승 / 하강 시간 (일반)

10.5ns, 13.3ns

전류-출력 높음, 낮음

1.8A, 4A

전류-피크 출력

4A

전압-순방향 (Vf) (통상)

-

전류-DC 순방향 (If) (최대)

-

전압-출력 공급

6.7V ~ 30V

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SOIC

승인

CQC, CSA, UR, VDE

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Silicon Labs

제조업체

Silicon Labs

시리즈

Automotive, AEC-Q100

기술

Capacitive Coupling

채널 수

2

전압-절연

2500Vrms

공통 모드 과도 내성 (최소)

20kV/µs

전파 지연 tpLH / tpHL (최대)

60ns, 60ns

펄스 폭 왜곡 (최대)

5.6ns

상승 / 하강 시간 (일반)

12ns, 12ns (Max)

전류-출력 높음, 낮음

2A, 4A

전류-피크 출력

4A

전압-순방향 (Vf) (통상)

-

전류-DC 순방향 (If) (최대)

-

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전압-절연

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-

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전류-출력 높음, 낮음

2A, 2A

전류-피크 출력

-

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전압-출력 공급

13V ~ 20V

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전류-피크 출력

-

전압-순방향 (Vf) (통상)

-

전류-DC 순방향 (If) (최대)

-

전압-출력 공급

13.2V ~ 33V

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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