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TLP385(D4GH-TR,E

TLP385(D4GH-TR,E

참조 용

부품 번호 TLP385(D4GH-TR,E
PNEDA 부품 번호 TLP385-D4GH-TR-E
설명 TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가 견적 요청
재고 있음 8,280
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

TLP385(D4GH-TR 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호TLP385(D4GH-TR,E
분류반도체절연체광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

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  • TLP385(D4GH-TR,E Distributor

TLP385(D4GH-TR 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
채널 수1
전압-절연5000Vrms
전류 전송 비율 (최소)50% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대)600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반)3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반)2µs, 3µs
입력 유형DC
출력 유형Transistor
전압-출력 (최대)80V
전류-출력 / 채널50mA
전압-순방향 (Vf) (통상)1.25V
전류-DC 순방향 (If) (최대)50mA
Vce 포화 (최대)300mV
작동 온도-55°C ~ 110°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads
공급자 장치 패키지6-SO, 4 Lead

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전압-절연

5000Vrms

전류 전송 비율 (최소)

40% @ 10mA

전류 전송 비율 (최대)

400% @ 10mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

4µs, 3µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

60V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.2V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

50mA

Vce 포화 (최대)

300mV

작동 온도

-55°C ~ 125°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-SMD, Gull Wing

공급자 장치 패키지

6-SMD

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전압-절연

-

전류 전송 비율 (최소)

-

전류 전송 비율 (최대)

-

켜기 / 끄기 시간 (일반)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

4µs, 3µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

80V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.2V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

50mA

Vce 포화 (최대)

200mV

작동 온도

-30°C ~ 100°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-SMD, Gull Wing

공급자 장치 패키지

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제조업체

Vishay Semiconductor Opto Division

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

5000Vrms

전류 전송 비율 (최소)

40% @ 10mA

전류 전송 비율 (최대)

80% @ 10mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

3µs, 2.3µs

상승 / 하강 시간 (일반)

2µs, 2µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor with Base

전압-출력 (최대)

70V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.39V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

60mA

Vce 포화 (최대)

400mV

작동 온도

-55°C ~ 110°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-SMD, Gull Wing

공급자 장치 패키지

6-SMD

TCET1108

Vishay Semiconductor Opto Division

제조업체

Vishay Semiconductor Opto Division

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

5000Vrms

전류 전송 비율 (최소)

130% @ 5mA

전류 전송 비율 (최대)

260% @ 5mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

6µs, 5µs

상승 / 하강 시간 (일반)

3µs, 4.7µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

70V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.25V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

60mA

Vce 포화 (최대)

300mV

작동 온도

-40°C ~ 100°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

4-DIP

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전압-절연

5000Vrms

전류 전송 비율 (최소)

63% @ 10mA

전류 전송 비율 (최대)

125% @ 10mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

3µs, 2.3µs

상승 / 하강 시간 (일반)

2µs, 2µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor with Base

전압-출력 (최대)

70V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.39V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

60mA

Vce 포화 (최대)

400mV

작동 온도

-55°C ~ 110°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

6-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

6-DIP

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