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TLP631(GB,F)

TLP631(GB,F)

참조 용

부품 번호 TLP631(GB,F)
PNEDA 부품 번호 TLP631-GB-F
설명 OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가 견적 요청
재고 있음 8,478
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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TLP631(GB 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호TLP631(GB,F)
분류반도체절연체광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

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TLP631(GB 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
채널 수1
전압-절연5000Vrms
전류 전송 비율 (최소)100% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대)600% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반)3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반)2µs, 3µs
입력 유형DC
출력 유형Transistor with Base
전압-출력 (최대)55V
전류-출력 / 채널50mA
전압-순방향 (Vf) (통상)1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대)60mA
Vce 포화 (최대)400mV
작동 온도-55°C ~ 100°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지6-DIP

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

5300Vrms

전류 전송 비율 (최소)

-

전류 전송 비율 (최대)

-

켜기 / 끄기 시간 (일반)

25µs, 25µs (Max)

상승 / 하강 시간 (일반)

-

입력 유형

DC

출력 유형

MOSFET

전압-출력 (최대)

30V

전류-출력 / 채널

-

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.3V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

60mA

Vce 포화 (최대)

-

작동 온도

-55°C ~ 100°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

6-DIP (0.400", 10.16mm)

공급자 장치 패키지

6-DIP

FODM121V

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

3750Vrms

전류 전송 비율 (최소)

50% @ 5mA

전류 전송 비율 (최대)

600% @ 5mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

3µs, 3µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

80V

전류-출력 / 채널

80mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.3V (Max)

전류-DC 순방향 (If) (최대)

50mA

Vce 포화 (최대)

400mV

작동 온도

-40°C ~ 110°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-SMD, Gull Wing

공급자 장치 패키지

4-SMD

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제조업체

Vishay Semiconductor Opto Division

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

5300Vrms

전류 전송 비율 (최소)

63% @ 1mA

전류 전송 비율 (최대)

125% @ 1mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

8µs, 7.5µs

상승 / 하강 시간 (일반)

5µs, 7µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor with Base

전압-출력 (최대)

55V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.1V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

50mA

Vce 포화 (최대)

400mV

작동 온도

-55°C ~ 100°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

6-DIP (0.400", 10.16mm)

공급자 장치 패키지

6-DIP

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

FODM214

채널 수

1

전압-절연

3750Vrms

전류 전송 비율 (최소)

20% @ 1mA

전류 전송 비율 (최대)

400% @ 1mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

3µs, 3µs

상승 / 하강 시간 (일반)

3µs, 3µs

입력 유형

AC, DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

80V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.2V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

50mA

Vce 포화 (최대)

400mV

작동 온도

-55°C ~ 110°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

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채널 수

1

전압-절연

3750Vrms

전류 전송 비율 (최소)

5% @ 16mA

전류 전송 비율 (최대)

-

켜기 / 끄기 시간 (일반)

200ns, 1.3µs

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-

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor with Base

전압-출력 (최대)

20V

전류-출력 / 채널

8mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.5V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

25mA

Vce 포화 (최대)

-

작동 온도

-55°C ~ 100°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

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