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TLP631(GR,F)

TLP631(GR,F)

참조 용

부품 번호 TLP631(GR,F)
PNEDA 부품 번호 TLP631-GR-F
설명 OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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TLP631(GR 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호TLP631(GR,F)
분류반도체절연체광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

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  • TLP631(GR,F) Distributor

TLP631(GR 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
채널 수1
전압-절연5000Vrms
전류 전송 비율 (최소)100% @ 5mA
전류 전송 비율 (최대)300% @ 5mA
켜기 / 끄기 시간 (일반)3µs, 3µs
상승 / 하강 시간 (일반)2µs, 3µs
입력 유형DC
출력 유형Transistor with Base
전압-출력 (최대)55V
전류-출력 / 채널50mA
전압-순방향 (Vf) (통상)1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대)60mA
Vce 포화 (최대)400mV
작동 온도-55°C ~ 100°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지6-DIP

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Everlight Electronics Co Ltd

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전압-절연

5000Vrms

전류 전송 비율 (최소)

50% @ 1mA

전류 전송 비율 (최대)

150% @ 1mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

7µs, 11µs

입력 유형

AC, DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

80V

전류-출력 / 채널

-

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.2V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

60mA

Vce 포화 (최대)

200mV

작동 온도

-55°C ~ 110°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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Vishay Semiconductor Opto Division

시리즈

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채널 수

2

전압-절연

5300Vrms

전류 전송 비율 (최소)

12.5% @ 16mA

전류 전송 비율 (최대)

-

켜기 / 끄기 시간 (일반)

3µs, 3µs

상승 / 하강 시간 (일반)

-

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

20V

전류-출력 / 채널

-

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.3V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

60mA

Vce 포화 (최대)

500mV

작동 온도

-55°C ~ 100°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-DIP

4N283SD

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

5300Vrms

전류 전송 비율 (최소)

10% @ 10mA

전류 전송 비율 (최대)

-

켜기 / 끄기 시간 (일반)

2µs, 2µs

상승 / 하강 시간 (일반)

-

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor with Base

전압-출력 (최대)

30V

전류-출력 / 채널

-

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.18V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

100mA

Vce 포화 (최대)

500mV

작동 온도

-55°C ~ 100°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-SMD, Gull Wing

공급자 장치 패키지

6-SMD

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Vishay Semiconductor Opto Division

제조업체

Vishay Semiconductor Opto Division

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

3750Vrms

전류 전송 비율 (최소)

100% @ 5mA

전류 전송 비율 (최대)

300% @ 5mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

9.5µs, 8.5µs

상승 / 하강 시간 (일반)

5.5µs, 7µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

70V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.35V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

60mA

Vce 포화 (최대)

300mV

작동 온도

-40°C ~ 100°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

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전압-절연

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전류 전송 비율 (최소)

50% @ 10mA

전류 전송 비율 (최대)

-

켜기 / 끄기 시간 (일반)

2µs, 2µs

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입력 유형

DC

출력 유형

Transistor with Base

전압-출력 (최대)

30V

전류-출력 / 채널

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전압-순방향 (Vf) (통상)

1.18V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

60mA

Vce 포화 (최대)

400mV

작동 온도

-40°C ~ 100°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

6-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

6-DIP

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