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TN0104N3-G-P003

TN0104N3-G-P003

참조 용

부품 번호 TN0104N3-G-P003
PNEDA 부품 번호 TN0104N3-G-P003
설명 MOSFET N-CH 40V 0.45A TO92-3
제조업체 Microchip Technology
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TN0104N3-G-P003 리소스

브랜드 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호TN0104N3-G-P003
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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TN0104N3-G-P003 사양

제조업체Microchip Technology
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)450mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)3V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs1.8Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id1.6V @ 500µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds70pF @ 20V
FET 기능-
전력 손실 (최대)1W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-92-3
패키지 / 케이스TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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Vishay Siliconix

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FET 유형

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

35A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

7V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

26mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

47nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2000pF @ 12V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

8.3W (Ta), 83W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

700V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.5nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

342pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

78W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-251

패키지 / 케이스

TO-251-3 Stub Leads, IPak

RJK60S7DPK-M0#T0

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제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

30A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

125mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

39nC @ 10V

Vgs (최대)

+30V, -20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2300pF @ 25V

FET 기능

Super Junction

전력 손실 (최대)

227.2W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-3PSG

패키지 / 케이스

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Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

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-

FET 유형

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.7A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4V, 5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

200mOhm @ 4.6A, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8.4nC @ 5V

Vgs (최대)

±10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

400pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta), 25W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

380mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.3nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

30pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

370mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

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