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TN6725A_D26Z

TN6725A_D26Z

참조 용

부품 번호 TN6725A_D26Z
PNEDA 부품 번호 TN6725A_D26Z
설명 TRANS NPN DARL 50V 1.2A TO-226
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 7,758
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

TN6725A_D26Z 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호TN6725A_D26Z
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
TN6725A_D26Z, TN6725A_D26Z 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 35.19 KB)
PDFTN6725A_D75Z 데이터 시트 표지
TN6725A_D75Z 데이터 시트 페이지 2 TN6725A_D75Z 데이터 시트 페이지 3

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TN6725A_D26Z 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대)1.2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic1.5V @ 2mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대)100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce4000 @ 1A, 5V
전력-최대1W
주파수-전환-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
공급자 장치 패키지TO-226

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 10mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

50 @ 100mA, 1V

전력-최대

350mW

주파수-전환

50MHz

작동 온도

-

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패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

SOT-23-3

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제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.2V @ 500mA, 5A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

60 @ 2A, 2V

전력-최대

6W

주파수-전환

30MHz

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

공급자 장치 패키지

TO-39

2SD667-B-AP

Micro Commercial Co

제조업체

Micro Commercial Co

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

10µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

60 @ 150mA, 5V

전력-최대

900mW

주파수-전환

140MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92MOD

2SCR542F3TR

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

3A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

200mV @ 50mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 500mA, 2V

전력-최대

1W

주파수-전환

250MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

3-UDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

HUML2020L3

KSA1175OBU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

150mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 10mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 1mA, 6V

전력-최대

250mW

주파수-전환

180MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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