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TPC8032-H(TE12LQM)

TPC8032-H(TE12LQM)

참조 용

부품 번호 TPC8032-H(TE12LQM)
PNEDA 부품 번호 TPC8032-H-TE12LQM
설명 MOSFET N-CH 30V 15A SOP8 2-6J1B
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가 견적 요청
재고 있음 6,912
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 23 - 4월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

TPC8032-H(TE12LQM) 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호TPC8032-H(TE12LQM)
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
TPC8032-H(TE12LQM), TPC8032-H(TE12LQM) 데이터 시트 (총 페이지: 63, 크기: 1,617.96 KB)
PDFTPCP8203(TE85L 데이터 시트 표지
TPCP8203(TE85L 데이터 시트 페이지 2 TPCP8203(TE85L 데이터 시트 페이지 3 TPCP8203(TE85L 데이터 시트 페이지 4 TPCP8203(TE85L 데이터 시트 페이지 5 TPCP8203(TE85L 데이터 시트 페이지 6 TPCP8203(TE85L 데이터 시트 페이지 7 TPCP8203(TE85L 데이터 시트 페이지 8 TPCP8203(TE85L 데이터 시트 페이지 9 TPCP8203(TE85L 데이터 시트 페이지 10 TPCP8203(TE85L 데이터 시트 페이지 11

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  • TPC8032-H(TE12LQM) Distributor

TPC8032-H(TE12LQM) 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)15A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)-
Rds On (최대) @ Id, Vgs6.5mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs33nC @ 10V
Vgs (최대)-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2846pF @ 10V
FET 기능-
전력 손실 (최대)-
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지8-SOP (5.5x6.0)
패키지 / 케이스8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

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기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9.7A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

280mOhm @ 4.9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

19nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

600pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

49W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220-3

패키지 / 케이스

TO-220-3

IPP80R1K2P7XKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

CoolMOS™ P7

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

800V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 1.7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 80µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

300pF @ 500V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

37W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

PG-TO220-3

패키지 / 케이스

TO-220-3

TP0610K-T1-E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

185mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.7nC @ 15V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

23pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

350mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SOT-23-3 (TO-236)

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

SIE878DF-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

45A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

36nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1400pF @ 12.5V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

5.2W (Ta), 25W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

10-PolarPAK® (L)

패키지 / 케이스

10-PolarPAK® (L)

SSM3J66MFV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

*

FET 유형

-

기술

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

공급자 장치 패키지

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