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TPC8033-H(TE12LQM)

TPC8033-H(TE12LQM)

참조 용

부품 번호 TPC8033-H(TE12LQM)
PNEDA 부품 번호 TPC8033-H-TE12LQM
설명 MOSFET N-CH 30V 17A SOP8 2-6J1B
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가 견적 요청
재고 있음 8,766
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 22 - 1월 27 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

TPC8033-H(TE12LQM) 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호TPC8033-H(TE12LQM)
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
TPC8033-H(TE12LQM), TPC8033-H(TE12LQM) 데이터 시트 (총 페이지: 63, 크기: 1,617.96 KB)
PDFTPCP8203(TE85L 데이터 시트 표지
TPCP8203(TE85L 데이터 시트 페이지 2 TPCP8203(TE85L 데이터 시트 페이지 3 TPCP8203(TE85L 데이터 시트 페이지 4 TPCP8203(TE85L 데이터 시트 페이지 5 TPCP8203(TE85L 데이터 시트 페이지 6 TPCP8203(TE85L 데이터 시트 페이지 7 TPCP8203(TE85L 데이터 시트 페이지 8 TPCP8203(TE85L 데이터 시트 페이지 9 TPCP8203(TE85L 데이터 시트 페이지 10 TPCP8203(TE85L 데이터 시트 페이지 11

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  • TPC8033-H(TE12LQM) Distributor

TPC8033-H(TE12LQM) 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)17A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)-
Rds On (최대) @ Id, Vgs5.3mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs42nC @ 10V
Vgs (최대)-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds3713pF @ 10V
FET 기능-
전력 손실 (최대)-
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지8-SOP (5.5x6.0)
패키지 / 케이스8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

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700V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

68nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1370pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

115W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D2PAK

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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제조업체

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시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

19A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

390mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

90nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3550pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

335W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-247 [B]

패키지 / 케이스

TO-247-3

IRFBC40LCPBF

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.2A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 3.7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

39nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1100pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

125W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220AB

패키지 / 케이스

TO-220-3

IRFD9120

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

600mOhm @ 600mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

18nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

390pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.3W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

4-DIP, Hexdip, HVMDIP

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드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

36A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

44mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

74nC @ 5V

Vgs (최대)

±16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1800pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.8W (Ta), 140W (Tc)

작동 온도

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