TPC8207(TE12L,Q)
참조 용
| 부품 번호 | TPC8207(TE12L,Q) |
| PNEDA 부품 번호 | TPC8207-TE12L-Q |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 20V 6A 8-SOP |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,690 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 7 - 4월 12 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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TPC8207(TE12L 리소스
| 브랜드 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | TPC8207(TE12L,Q) |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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- TPC8207(TE12L,Q) Distributor
TPC8207(TE12L 사양
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 20V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 6A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 4.8A, 4V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1.2V @ 200µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 22nC @ 5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2010pF @ 10V |
| 전력-최대 | 450mW |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
| 공급자 장치 패키지 | 8-SOP (5.5x6.0) |
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제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 * FET 유형 - FET 기능 - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
