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TPCP8004(TE85L,F)

TPCP8004(TE85L,F)

참조 용

부품 번호 TPCP8004(TE85L,F)
PNEDA 부품 번호 TPCP8004-TE85L-F
설명 MOSFET N-CH 30V 8.3A PS-8
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
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TPCP8004(TE85L 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호TPCP8004(TE85L,F)
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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  • TPCP8004(TE85L,F) Distributor

TPCP8004(TE85L 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈U-MOSIV
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)8.3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs8.5mOhm @ 4.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs26nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1270pF @ 10V
FET 기능-
전력 손실 (최대)840mW (Ta)
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지PS-8 (2.9x2.4)
패키지 / 케이스8-SMD, Flat Lead

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

69A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

22mOhm @ 41A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 270µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

96nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4897pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

313W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

40A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

18V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

117mOhm @ 10A, 18V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 4.4mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

106nC @ 18V

Vgs (최대)

+22V, -6V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1850pF @ 800V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

262W (Tc)

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

75A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6.5mOhm @ 75A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

150nC @ 10V

Vgs (최대)

±16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4965pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

310W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

190mOhm @ 13.1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.9V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

114nC @ 10V

Vgs (최대)

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2V, 5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 300mA, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 1mA

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전력 손실 (최대)

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