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TPCP8005-H(TE85L,F

TPCP8005-H(TE85L,F

참조 용

부품 번호 TPCP8005-H(TE85L,F
PNEDA 부품 번호 TPCP8005-H-TE85L-F
설명 MOSFET N-CH 30V 11A PS-8
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

TPCP8005-H(TE85L 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호TPCP8005-H(TE85L,F
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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TPCP8005-H(TE85L 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈U-MOSV-H
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)11A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs12.9mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs20nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2150pF @ 10V
FET 기능-
전력 손실 (최대)840mW (Ta)
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지PS-8 (2.9x2.4)
패키지 / 케이스8-SMD, Flat Lead

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20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.1A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

65mOhm @ 5.1A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

21nC @ 5V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1230pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.2W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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Microchip Technology

시리즈

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FET 유형

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

400V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

260mA (Tj)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 2mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

225pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.3W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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IXYS

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

150V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

24A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

15A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7.7mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

24nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1380pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.1W (Ta)

작동 온도

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Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

11000pF @ 30V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

188W (Tc)

작동 온도

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