TPD3215M
참조 용
| 부품 번호 | TPD3215M |
| PNEDA 부품 번호 | TPD3215M |
| 설명 | GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE |
| 제조업체 | Transphorm |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,640 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 26 - 12월 1 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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TPD3215M 리소스
| 브랜드 | Transphorm |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | TPD3215M |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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TPD3215M 사양
| 제조업체 | Transphorm |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET 기능 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 600V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 70A (Tc) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 34mOhm @ 30A, 8V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | - |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 28nC @ 8V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2260pF @ 100V |
| 전력-최대 | 470W |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | Module |
| 공급자 장치 패키지 | Module |
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