TPD3215M
참조 용
| 부품 번호 | TPD3215M |
| PNEDA 부품 번호 | TPD3215M |
| 설명 | GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE |
| 제조업체 | Transphorm |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,640 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 5 - 3월 10 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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TPD3215M 리소스
| 브랜드 | Transphorm |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | TPD3215M |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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TPD3215M 사양
| 제조업체 | Transphorm |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET 기능 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 600V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 70A (Tc) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 34mOhm @ 30A, 8V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | - |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 28nC @ 8V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2260pF @ 100V |
| 전력-최대 | 470W |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | Module |
| 공급자 장치 패키지 | Module |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5A Rds On (최대) @ Id, Vgs 42mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 16nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1400pF @ 10V 전력-최대 2W 작동 온도 - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOP |
제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 26A Rds On (최대) @ Id, Vgs 15.6mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 16.5nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2223pF @ 25V 전력-최대 53W 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-1205, 8-LFPAK56 공급자 장치 패키지 LFPAK56D |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual), Schottky FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 10.3A, 17.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 9.7nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1150pF @ 15V 전력-최대 1.1W, 1.2W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical) |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® Gen IV FET 유형 2 N-Channel (Dual), Schottky FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 49nC @ 10V, 200nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V 전력-최대 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지 8-PowerPair® (6x5) |
제조업체 Advanced Linear Devices Inc. 시리즈 EPAD® FET 유형 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 12mA, 3mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 500Ohm @ 4.8V Vgs (th) (최대) @ Id 820mV @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2.5pF @ 5V 전력-최대 500mW 작동 온도 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOIC |
