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TPN7R506NH,L1Q

TPN7R506NH,L1Q

참조 용

부품 번호 TPN7R506NH,L1Q
PNEDA 부품 번호 TPN7R506NH-L1Q
설명 MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
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TPN7R506NH 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호TPN7R506NH,L1Q
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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TPN7R506NH 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈U-MOSVIII-H
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)26A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)6.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs7.5mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 200µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs22nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1800pF @ 30V
FET 기능-
전력 손실 (최대)700mW (Ta), 42W (Tc)
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지8-TSON Advance (3.3x3.3)
패키지 / 케이스8-PowerVDFN

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600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

950mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

53nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1110pF @ 25V

FET 기능

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전력 손실 (최대)

125W (Tc)

작동 온도

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600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

60A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

130mOhm @ 28A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 2.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

280nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

11300pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1040W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

700mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

35nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1346pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

28W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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16A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6.7mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

18nC @ 4.5V

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

19mOhm @ 11A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

36nC @ 10V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1265pF @ 15V

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-

전력 손실 (최대)

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