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TS20P04GHC2G

TS20P04GHC2G

참조 용

부품 번호 TS20P04GHC2G
PNEDA 부품 번호 TS20P04GHC2G
설명 BRIDGE RECT 1P 400V 20A TS-6P
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation
단가 견적 요청
재고 있음 5,328
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 3 - 2월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

TS20P04GHC2G 리소스

브랜드 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호TS20P04GHC2G
분류반도체다이오드 및 정류기브리지 정류기

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TS20P04GHC2G 사양

제조업체Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈Automotive, AEC-Q101
다이오드 유형Single Phase
기술Standard
전압-피크 역방향 (최대)400V
전류-평균 정류 (Io)20A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.1V @ 20A
전류-역방향 누설 @ Vr10µA @ 400V
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스4-SIP, TS-6P
공급자 장치 패키지TS-6P

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Taiwan Semiconductor Corporation

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Single Phase

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전압-피크 역방향 (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 3A

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 800V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-SMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

YBS

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Comchip Technology

시리즈

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다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

15A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 7.5A

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 600V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-Square, GBPC-W

공급자 장치 패키지

GBPC-W

KBU407G T0

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

1kV

전류-평균 정류 (Io)

4A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 4A

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1000V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-SIP, KBU

공급자 장치 패키지

KBU

GBJ604TB

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제조업체

SMC Diode Solutions

시리즈

-

다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

6A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 6A

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 400V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-ESIP

공급자 장치 패키지

GBJ

MSD160-18

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Three Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

1.8kV

전류-평균 정류 (Io)

160A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.65V @ 300A

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 1800V

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

M3

공급자 장치 패키지

M3

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