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TSC428CBA+

TSC428CBA+

참조 용

부품 번호 TSC428CBA+
PNEDA 부품 번호 TSC428CBA
설명 IC DRVR MOSFET DUAL 8-SOIC
제조업체 Maxim Integrated
단가 견적 요청
재고 있음 8,580
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 19 - 4월 24 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

TSC428CBA+ 리소스

브랜드 Maxim Integrated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호TSC428CBA+
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
TSC428CBA+, TSC428CBA+ 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 918.18 KB)
PDFTSC426C/D 데이터 시트 표지
TSC426C/D 데이터 시트 페이지 2 TSC426C/D 데이터 시트 페이지 3 TSC426C/D 데이터 시트 페이지 4 TSC426C/D 데이터 시트 페이지 5

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TSC428CBA+ 사양

제조업체Maxim Integrated
시리즈-
구동 구성Low-Side
채널 유형Independent
드라이버 수2
게이트 유형N-Channel, P-Channel MOSFET
전압-공급4.5V ~ 18V
논리 전압-VIL, VIH0.8V, 2.4V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)1.5A, 1.5A
입력 유형Inverting, Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)-
상승 / 하강 시간 (일반)25ns, 25ns
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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Infineon Technologies

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구동 구성

Half-Bridge

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드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

3V ~ 3.5V

논리 전압-VIL, VIH

1.2V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

4A, 8A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

6.5ns, 4.5ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

PG-DSO-16-30

ISL6614CR-T

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

4

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

10.8V ~ 13.2V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.25A, 2A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

36V

상승 / 하강 시간 (일반)

26ns, 18ns

작동 온도

0°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-VQFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

16-QFN (4x4)

DGD0507AFN-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

8V ~ 14V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.5A, 2A

입력 유형

CMOS/TTL

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

50V

상승 / 하강 시간 (일반)

16ns, 18ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

10-WFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

W-DFN3030-10

ISL6615AFRZ

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

6.8V ~ 13.2V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2.5A, 4A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

36V

상승 / 하강 시간 (일반)

13ns, 10ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

10-VFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

10-DFN (3x3)

ISL6609IBZ

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

논리 전압-VIL, VIH

1V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-, 4A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

36V

상승 / 하강 시간 (일반)

8ns, 8ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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