TSM250N02DCQ RFG
참조 용
| 부품 번호 | TSM250N02DCQ RFG |
| PNEDA 부품 번호 | TSM250N02DCQ-RFG |
| 설명 | MOSFET 2 N-CH 20V 5.8A 6TDFN |
| 제조업체 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 72,018 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 6 - 3월 11 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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TSM250N02DCQ RFG 리소스
| 브랜드 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | TSM250N02DCQ RFG |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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TSM250N02DCQ RFG 사양
| 제조업체 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 20V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 5.8A (Tc) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 4A, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 800mV @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 7.7nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 775pF @ 10V |
| 전력-최대 | 620mW |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 6-VDFN Exposed Pad |
| 공급자 장치 패키지 | 6-TDFN (2x2) |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 17A, 30A Rds On (최대) @ Id, Vgs 8.2mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 24nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1150pF @ 15V 전력-최대 3.6W, 4.3W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerVDFN 공급자 장치 패키지 8-DFN (5x6) |
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제조업체 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 9A (Ta), 22A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 21mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 18nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 888pF @ 15V 전력-최대 3.1W (Ta), 17W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerSMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지 8-DFN (3x3) |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 PowerTrench® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 13A, 26A Rds On (최대) @ Id, Vgs 6.4mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 13nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 827pF @ 15V 전력-최대 800mW, 900mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지 Powerclip-33 |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 * FET 유형 - FET 기능 - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
