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TSM4946DCS RLG

TSM4946DCS RLG

참조 용

부품 번호 TSM4946DCS RLG
PNEDA 부품 번호 TSM4946DCS-RLG
설명 MOSFET 2 N-CH 60V 4.5A 8SOP
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation
단가 견적 요청
재고 있음 43,050
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 23 - 11월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

TSM4946DCS RLG 리소스

브랜드 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호TSM4946DCS RLG
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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TSM4946DCS RLG 사양

제조업체Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)4.5A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs55mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs18nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds910pF @ 24V
전력-최대2.4W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOP

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시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel Complementary

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

30mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

310pF @ 15V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

CTLDM8120-M832DS BK

Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

860mA (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

150mOhm @ 950mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3.56nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

200pF @ 16V

전력-최대

1.65W

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

TLM832DS

ECH8652-TL-H

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

28mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1000pF @ 6V

전력-최대

1.5W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

8-ECH

APTMC120AM16CD3AG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Silicon Carbide (SiC)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V (1.2kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

131A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

20mOhm @ 100A, 20V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 5mA (Typ)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

246nC @ 20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4750pF @ 1000V

전력-최대

625W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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D3

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Vishay Siliconix

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

43mOhm @ 3.7A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

900mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12.5nC @ 8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

470pF @ 10V

전력-최대

7.8W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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