TSM6N50CH C5G
참조 용
| 부품 번호 | TSM6N50CH C5G |
| PNEDA 부품 번호 | TSM6N50CH-C5G |
| 설명 | MOSFET N-CH 500V 5.6A TO251 |
| 제조업체 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,334 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 12월 21 - 12월 26 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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TSM6N50CH C5G 리소스
| 브랜드 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | TSM6N50CH C5G |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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TSM6N50CH C5G 사양
| 제조업체 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 500V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 5.6A (Ta) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 2.8A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±30V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 900pF @ 25V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 90W (Tc) |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 공급자 장치 패키지 | TO-251 (IPAK) |
| 패키지 / 케이스 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 8.6A (Ta), 59A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 7mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 33nC @ 11.5V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2113pF @ 12V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 870mW (Ta), 41.7W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN, 5 Leads |
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 8A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 600mOhm @ 1.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 16nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 528pF @ 100V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 41.7W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 ITO-220S 패키지 / 케이스 TO-220-3 Full Pack |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 65mOhm @ 2.2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 9nC @ 4.5V Vgs (최대) ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 300pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 500mW (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 SuperSOT-3 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
