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TSZL52C3V6 RWG

TSZL52C3V6 RWG

참조 용

부품 번호 TSZL52C3V6 RWG
PNEDA 부품 번호 TSZL52C3V6-RWG
설명 DIODE ZENER 3.6V 200MW 1005
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation
단가 견적 요청
재고 있음 7,560
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 4 - 11월 9 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

TSZL52C3V6 RWG 리소스

브랜드 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호TSZL52C3V6 RWG
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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TSZL52C3V6 RWG 사양

제조업체Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)3.6V
공차±5%
전력-최대200mW
임피던스 (최대) (Zzt)95 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr15µA @ 1V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If900mV @ 10mA
작동 온도-55°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스1005 (2512 Metric)
공급자 장치 패키지1005

관심을 가질만한 제품

1N5335BE3/TR13

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

3.9V

공차

±5%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

2 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

50µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

T-18, Axial

공급자 장치 패키지

T-18

TZM5232B-GS08

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

5.6V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 3V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80

공급자 장치 패키지

SOD-80 MiniMELF

SMBJ5932BE3/TR13

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

20V

공차

±5%

전력-최대

2W

임피던스 (최대) (Zzt)

14 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 15.2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AA, SMB

공급자 장치 패키지

SMBJ (DO-214AA)

BZX84C12-7-G

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

*

전압-제너 (Nom) (Vz)

-

공차

-

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

JAN1N4970

Semtech

제조업체

Semtech Corporation

시리즈

*

전압-제너 (Nom) (Vz)

-

공차

-

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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