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TT8J13TCR

TT8J13TCR

참조 용

부품 번호 TT8J13TCR
PNEDA 부품 번호 TT8J13TCR
설명 MOSFET 2P-CH 12V 2.5A TSST8
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 3,294
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TT8J13TCR 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호TT8J13TCR
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
TT8J13TCR, TT8J13TCR 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 2,441.7 KB)
PDFTT8J13TCR 데이터 시트 표지
TT8J13TCR 데이터 시트 페이지 2 TT8J13TCR 데이터 시트 페이지 3 TT8J13TCR 데이터 시트 페이지 4 TT8J13TCR 데이터 시트 페이지 5 TT8J13TCR 데이터 시트 페이지 6 TT8J13TCR 데이터 시트 페이지 7 TT8J13TCR 데이터 시트 페이지 8 TT8J13TCR 데이터 시트 페이지 9 TT8J13TCR 데이터 시트 페이지 10 TT8J13TCR 데이터 시트 페이지 11

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TT8J13TCR 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
FET 유형2 P-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate, 1.5V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss)12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)2.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs62mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs16nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2000pF @ 6V
전력-최대1W
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지8-TSST

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30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.5A, 2.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

100mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

14nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

190pF @ 15V

전력-최대

2W

작동 온도

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40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

180A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

110nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

24-SMD

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시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A, 8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

23.5mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

660pF @ 15V

전력-최대

700mW, 900mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerWDFN

공급자 장치 패키지

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ON Semiconductor

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ON Semiconductor

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

22mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

14nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

550pF @ 15V

전력-최대

900mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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FET 유형

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FET 기능

Logic Level Gate, 4V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3A, 2.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

80mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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