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TZX7V5D-TAP

TZX7V5D-TAP

참조 용

부품 번호 TZX7V5D-TAP
PNEDA 부품 번호 TZX7V5D-TAP
설명 DIODE ZENER 7.5V 500MW DO35
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가
1 ---------- $0.5245
500 ---------- $0.5000
1,000 ---------- $0.4754
2,500 ---------- $0.4508
5,000 ---------- $0.4303
10,000 ---------- $0.4098
재고 있음 13,568
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예상 배송 12월 3 - 12월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

TZX7V5D-TAP 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호TZX7V5D-TAP
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
TZX7V5D-TAP, TZX7V5D-TAP 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 101.72 KB)
PDFTZX36X-TAP 데이터 시트 표지
TZX36X-TAP 데이터 시트 페이지 2 TZX36X-TAP 데이터 시트 페이지 3 TZX36X-TAP 데이터 시트 페이지 4 TZX36X-TAP 데이터 시트 페이지 5 TZX36X-TAP 데이터 시트 페이지 6 TZX36X-TAP 데이터 시트 페이지 7

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  • TZX7V5D-TAP Distributor

TZX7V5D-TAP 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈Automotive, AEC-Q101
전압-제너 (Nom) (Vz)7.5V
공차-
전력-최대500mW
임피던스 (최대) (Zzt)15 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr1µA @ 5V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.5V @ 200mA
작동 온도-65°C ~ 175°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AH, DO-35, Axial
공급자 장치 패키지DO-35

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제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

160V

공차

±2%

전력-최대

2W

임피던스 (최대) (Zzt)

650 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 121.6V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

PZU8.2B3,115

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

8.2V

공차

±2%

전력-최대

310mW

임피던스 (최대) (Zzt)

10 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 5V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 100mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-90, SOD-323F

공급자 장치 패키지

SOD-323F

JAN1N4475US

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/406

전압-제너 (Nom) (Vz)

27V

공차

±5%

전력-최대

1.5W

임피던스 (최대) (Zzt)

18 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

50nA @ 21.6V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SQ-MELF, A

공급자 장치 패키지

D-5A

JANTXV1N981DUR-1

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/117

전압-제너 (Nom) (Vz)

68V

공차

±1%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

230 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 52V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AA (Glass)

공급자 장치 패키지

DO-213AA

JANTXV1N3016BUR-1

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/115

전압-제너 (Nom) (Vz)

6.8V

공차

±5%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

3.5 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

150µA @ 5.2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AB, MELF (Glass)

공급자 장치 패키지

DO-213AB (MELF, LL41)

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