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U430

U430

참조 용

부품 번호 U430
PNEDA 부품 번호 U430
설명 JFET P-CH 25V TO-78
제조업체 Vishay Siliconix
단가 견적 요청
재고 있음 8,856
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

U430 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호U430
분류반도체트랜지스터트랜지스터-JFET
데이터 시트
U430, U430 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 60.11 KB)
PDFU431 데이터 시트 표지
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U430 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
전압-항복 (V (BR) GSS)25V
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)12mA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대-
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id1V @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds5pF @ 10V
저항-RDS (켜짐)-
전력-최대500mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-78-6 Metal Can
공급자 장치 패키지TO-78-6

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Central Semiconductor Corp

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FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

35V

드레인-소스 전압 (Vdss)

35V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

5mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

2.5V @ 1nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4pF @ 15V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

300mW

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-206AF, TO-72-4 Metal Can

공급자 장치 패키지

TO-72

MMBFJ270

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

30V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

2mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

500mV @ 1nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

225mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

CMPFJ310 BK

Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

25V

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

24mA @ 10V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

2V @ 1nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5pF @ 10V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

350mW

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23

2N4416-E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

30V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

5mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

3V @ 1nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4pF @ 15V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

300mW

작동 온도

-50°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-206AF, TO-72-4 Metal Can

공급자 장치 패키지

TO-206AF (TO-72)

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제조업체

Panasonic Electronic Components

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

1mA @ 10V

전류 드레인 (Id)-최대

30mA

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

5V @ 10µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6.5pF @ 10V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

150mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

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