UCC27200ADRMR
참조 용
| 부품 번호 | UCC27200ADRMR |
| PNEDA 부품 번호 | UCC27200ADRMR |
| 설명 | IC DVR HIGH/LOW SIDE 3A 8VSON |
| 제조업체 | Texas Instruments |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,704 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 25 - 3월 2 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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UCC27200ADRMR 리소스
| 브랜드 | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | UCC27200ADRMR |
| 분류 | 반도체 › 전력 관리 IC › PMIC-게이트 드라이버 |
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UCC27200ADRMR 사양
| 제조업체 | |
| 시리즈 | - |
| 구동 구성 | Half-Bridge |
| 채널 유형 | Independent |
| 드라이버 수 | 2 |
| 게이트 유형 | N-Channel MOSFET |
| 전압-공급 | 8V ~ 17V |
| 논리 전압-VIL, VIH | 3V, 8V |
| 전류-피크 출력 (소스, 싱크) | 3A, 3A |
| 입력 유형 | Non-Inverting |
| 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) | 120V |
| 상승 / 하강 시간 (일반) | 8ns, 7ns |
| 작동 온도 | -40°C ~ 140°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-VDFN Exposed Pad |
| 공급자 장치 패키지 | 8-VSON (4x4) |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 시리즈 - 구동 구성 Low-Side 채널 유형 Independent 드라이버 수 2 게이트 유형 - 전압-공급 4.5V ~ 5.5V 논리 전압-VIL, VIH 0.8V, 2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 500mA, 500mA 입력 유형 Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) - 상승 / 하강 시간 (일반) 50ns, 90ns 작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOIC |
제조업체 Microchip Technology 시리즈 - 구동 구성 Low-Side 채널 유형 Single 드라이버 수 1 게이트 유형 IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 10A, 10A 입력 유형 Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) - 상승 / 하강 시간 (일반) 38ns, 33ns 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOIC |
제조업체 IXYS Integrated Circuits Division 시리즈 - 구동 구성 Low-Side 채널 유형 Single 드라이버 수 1 게이트 유형 IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급 4.5V ~ 35V 논리 전압-VIL, VIH 0.8V, 3V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 14A, 14A 입력 유형 Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) - 상승 / 하강 시간 (일반) 25ns, 18ns 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-5 Formed Leads 공급자 장치 패키지 TO-220-5 |
제조업체 Maxim Integrated 시리즈 - 구동 구성 Half-Bridge 채널 유형 Independent 드라이버 수 2 게이트 유형 N-Channel MOSFET 전압-공급 8V ~ 12.6V 논리 전압-VIL, VIH - 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 2A, 2A 입력 유형 Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) 175V 상승 / 하강 시간 (일반) 65ns, 65ns 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 공급자 장치 패키지 8-SOIC-EP |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 구동 구성 Half-Bridge 채널 유형 Independent 드라이버 수 2 게이트 유형 IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH 0.8V, 2.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 290mA, 600mA 입력 유형 Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) 600V 상승 / 하강 시간 (일반) 100ns, 35ns 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOIC |
