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UCC27201ADDAR

UCC27201ADDAR

참조 용

부품 번호 UCC27201ADDAR
PNEDA 부품 번호 UCC27201ADDAR
설명 IC DVR HIGH/LOW SIDE 3A 8SOPWR
제조업체 Texas Instruments
단가 견적 요청
재고 있음 683
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 14 - 2월 19 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

UCC27201ADDAR 리소스

브랜드 Texas Instruments
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호UCC27201ADDAR
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버

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UCC27201ADDAR 사양

제조업체
시리즈-
구동 구성Half-Bridge
채널 유형Independent
드라이버 수2
게이트 유형N-Channel MOSFET
전압-공급8V ~ 17V
논리 전압-VIL, VIH0.8V, 2.5V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)3A, 3A
입력 유형Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)120V
상승 / 하강 시간 (일반)8ns, 7ns
작동 온도-40°C ~ 140°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-PowerSOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SO PowerPad

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

290mA, 600mA

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

70ns, 35ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

ISL6596IRZ-T

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-, 4A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

36V

상승 / 하강 시간 (일반)

8ns, 8ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

10-VFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

10-DFN (3x3)

IR2131SPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

6

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

250mA, 500mA

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

80ns, 40ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

28-SOIC

TC4424VMF713

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

3A, 3A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

23ns, 25ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-VDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-DFN-S (6x5)

1SP0335D2S1-65

Power Integrations

제조업체

Power Integrations

시리즈

SCALE™-2

구동 구성

High-Side or Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

IGBT

전압-공급

23.5V ~ 26.5V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

35A, 35A

입력 유형

-

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

6500V

상승 / 하강 시간 (일반)

9ns, 30ns

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

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