UCC27512DRSR
참조 용
| 부품 번호 | UCC27512DRSR |
| PNEDA 부품 번호 | UCC27512DRSR |
| 설명 | IC GATE DVR LOW SIDE 1CH 6WSON |
| 제조업체 | Texas Instruments |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 45,332 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 12 - 4월 17 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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UCC27512DRSR 리소스
| 브랜드 | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | UCC27512DRSR |
| 분류 | 반도체 › 전력 관리 IC › PMIC-게이트 드라이버 |
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UCC27512DRSR 사양
| 제조업체 | |
| 시리즈 | - |
| 구동 구성 | Low-Side |
| 채널 유형 | Single |
| 드라이버 수 | 1 |
| 게이트 유형 | IGBT, N-Channel MOSFET |
| 전압-공급 | 4.5V ~ 18V |
| 논리 전압-VIL, VIH | 1V, 2.4V |
| 전류-피크 출력 (소스, 싱크) | 4A, 8A |
| 입력 유형 | Inverting, Non-Inverting |
| 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) | - |
| 상승 / 하강 시간 (일반) | 8ns, 7ns |
| 작동 온도 | -40°C ~ 140°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 6-WDFN Exposed Pad |
| 공급자 장치 패키지 | 6-SON-EP (3x3) |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 시리즈 - 구동 구성 Half-Bridge 채널 유형 Independent 드라이버 수 2 게이트 유형 N-Channel MOSFET 전압-공급 9V ~ 14V 논리 전압-VIL, VIH 2.3V, - 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 3A, 3A 입력 유형 Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) 118V 상승 / 하강 시간 (일반) 430ns, 260ns 작동 온도 -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerSOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO PowerPad |
제조업체 시리즈 - 구동 구성 Low-Side 채널 유형 Synchronous 드라이버 수 2 게이트 유형 N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급 4V ~ 14V 논리 전압-VIL, VIH 1V, 4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 2A, 2A 입력 유형 Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) - 상승 / 하강 시간 (일반) 14ns, 15ns 작동 온도 -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOIC |
제조업체 IXYS 시리즈 - 구동 구성 Low-Side 채널 유형 Independent 드라이버 수 2 게이트 유형 IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급 4.5V ~ 35V 논리 전압-VIL, VIH 0.8V, 2.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 4A, 4A 입력 유형 Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) - 상승 / 하강 시간 (일반) 16ns, 13ns 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지 16-SOIC |
제조업체 Renesas Electronics America Inc. 시리즈 - 구동 구성 Half-Bridge 채널 유형 Synchronous 드라이버 수 2 게이트 유형 N-Channel MOSFET 전압-공급 4.5V ~ 5.5V 논리 전압-VIL, VIH 1V, 2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 2A, 2A 입력 유형 Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) 33V 상승 / 하강 시간 (일반) 8ns, 8ns 작동 온도 0°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOIC |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 구동 구성 Half-Bridge 채널 유형 Independent 드라이버 수 2 게이트 유형 IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH 0.8V, 2.7V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 1.9A, 2.3A 입력 유형 Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) 600V 상승 / 하강 시간 (일반) 40ns, 20ns 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 14-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지 14-DIP |
