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UCC27528DSDR

UCC27528DSDR

참조 용

부품 번호 UCC27528DSDR
PNEDA 부품 번호 UCC27528DSDR
설명 IC GATE DVR LOW SIDE 8SON
제조업체 Texas Instruments
단가 견적 요청
재고 있음 3,474
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 1 - 12월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

UCC27528DSDR 리소스

브랜드 Texas Instruments
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호UCC27528DSDR
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버

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UCC27528DSDR 사양

제조업체
시리즈-
구동 구성Low-Side
채널 유형Independent
드라이버 수2
게이트 유형IGBT, N-Channel MOSFET
전압-공급4.5V ~ 18V
논리 전압-VIL, VIH-
전류-피크 출력 (소스, 싱크)5A, 5A
입력 유형Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)-
상승 / 하강 시간 (일반)7ns, 6ns
작동 온도-40°C ~ 140°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-WDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지8-SON (3x3)

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제조업체

Powerex Inc.

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구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

IGBT

전압-공급

14V ~ 15V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

5A, 5A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

300ns, 300ns

작동 온도

-20°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-SIP Module, 6 Leads

공급자 장치 패키지

Module

MAX5078AATT+

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제조업체

Maxim Integrated

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4V ~ 15V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

4A, 4A

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

32ns, 26ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-WDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

6-TDFN-EP (3x3)

IR21084STR

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.9V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

200mA, 350mA

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

150ns, 50ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

14-SOIC

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Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

10.8V ~ 13.2V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.25A, 2A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

36V

상승 / 하강 시간 (일반)

26ns, 18ns

작동 온도

0°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

10-VFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

10-DFN (3x3)

IR21844S

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.7V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.9A, 2.3A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

40ns, 20ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

14-SOIC

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