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UCC27531QDBVRQ1

UCC27531QDBVRQ1

참조 용

부품 번호 UCC27531QDBVRQ1
PNEDA 부품 번호 UCC27531QDBVRQ1
설명 IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6
제조업체 Texas Instruments
단가 견적 요청
재고 있음 6,750
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 28 - 12월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

UCC27531QDBVRQ1 리소스

브랜드 Texas Instruments
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호UCC27531QDBVRQ1
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버

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  • UCC27531QDBVRQ1 Distributor

UCC27531QDBVRQ1 사양

제조업체
시리즈Automotive, AEC-Q100
구동 구성Low-Side
채널 유형Single
드라이버 수1
게이트 유형IGBT, N-Channel MOSFET
전압-공급10V ~ 32V
논리 전압-VIL, VIH1.2V, 2.2V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)2.5A, 5A
입력 유형Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)-
상승 / 하강 시간 (일반)15ns, 7ns
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-23-6
공급자 장치 패키지SOT-23-6

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

290mA, 600mA

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

70ns, 35ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

EL7156CS-T13

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

High-Side or Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

IGBT

전압-공급

4.5V ~ 16.5V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

3.5A, 3.5A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

14.5ns, 15ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

NCP81382MNTXG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

구동 구성

High-Side or Low-Side

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

1

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

35V

상승 / 하강 시간 (일반)

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

36-TFQFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

36-QFN (6x4)

TC4422AVAT

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

10A, 10A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

38ns, 33ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-5

공급자 장치 패키지

TO-220-5

UCC27321QDRQ1

Texas Instruments

제조업체

시리즈

Automotive, AEC-Q100

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4V ~ 15V

논리 전압-VIL, VIH

1.1V, 2.7V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

9A, 9A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

20ns, 20ns

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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