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UCC37321DR

UCC37321DR

참조 용

부품 번호 UCC37321DR
PNEDA 부품 번호 UCC37321DR
설명 IC MOSFET DRIVER SGL HS 9A 8SOIC
제조업체 Texas Instruments
단가 견적 요청
재고 있음 2,394
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 28 - 4월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

UCC37321DR 리소스

브랜드 Texas Instruments
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호UCC37321DR
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버

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UCC37321DR 사양

제조업체
시리즈-
구동 구성Low-Side
채널 유형Single
드라이버 수1
게이트 유형N-Channel, P-Channel MOSFET
전압-공급4V ~ 15V
논리 전압-VIL, VIH1.1V, 2.7V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)9A, 9A
입력 유형Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)-
상승 / 하강 시간 (일반)20ns, 20ns
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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Infineon Technologies

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구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

200mA, 350mA

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

150ns, 50ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

IR2085STRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

Automotive, AEC-Q100

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 15V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1A, 1A

입력 유형

RC Input Circuit

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

100V

상승 / 하강 시간 (일반)

40ns, 20ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

MCP14A1201T-E/MS

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

12A, 12A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

25ns, 25ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

공급자 장치 패키지

8-MSOP

IR21271S

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

High-Side or Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

9V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 3V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

250mA, 500mA

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

80ns, 40ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

ZXGD3002E6TA

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

20V (Max)

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

9A, 9A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

8.3ns, 10.8ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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