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UF1A R1G

UF1A R1G

참조 용

부품 번호 UF1A R1G
PNEDA 부품 번호 UF1A-R1G
설명 DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation
단가 견적 요청
재고 있음 5,886
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 5월 5 - 5월 10 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

UF1A R1G 리소스

브랜드 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호UF1A R1G
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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UF1A R1G 사양

제조업체Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)50V
전류-평균 정류 (Io)1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1V @ 1A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)50ns
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 50V
커패시턴스 @ Vr, F17pF @ 4V, 1MHz
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AL, DO-41, Axial
공급자 장치 패키지DO-204AL (DO-41)
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C

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다이오드 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

80V

전류-평균 정류 (Io)

100mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 100mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

4ns

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 80V

커패시턴스 @ Vr, F

4pF @ 1V, 100MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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시리즈

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

300mA (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 200mA

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 240V

커패시턴스 @ Vr, F

0.9pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

X1-DFN1006-2

작동 온도-접합

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BYT53C-TAP

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Avalanche

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

150V

전류-평균 정류 (Io)

1.9A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 150V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

SOD-57, Axial

공급자 장치 패키지

SOD-57

작동 온도-접합

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B240Q-13-F

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

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다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

500mV @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 40V

커패시턴스 @ Vr, F

200pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

150V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

950mV @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 150V

커패시턴스 @ Vr, F

45pF @ 4V, 1MHz

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