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UF1D R1G

UF1D R1G

참조 용

부품 번호 UF1D R1G
PNEDA 부품 번호 UF1D-R1G
설명 DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation
단가 견적 요청
재고 있음 5,688
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 9 - 11월 14 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

UF1D R1G 리소스

브랜드 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호UF1D R1G
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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UF1D R1G 사양

제조업체Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)200V
전류-평균 정류 (Io)1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1V @ 1A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)50ns
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 200V
커패시턴스 @ Vr, F17pF @ 4V, 1MHz
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AL, DO-41, Axial
공급자 장치 패키지DO-204AL (DO-41)
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

15V

전류-평균 정류 (Io)

19A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

360mV @ 19A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1.5mA @ 15V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2

공급자 장치 패키지

TO-220AC

작동 온도-접합

-55°C ~ 125°C

RSFKL RFG

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

500mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 500mA

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

500ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 800V

커패시턴스 @ Vr, F

4pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

공급자 장치 패키지

Sub SMA

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

SFT13GHA1G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

150V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

950mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 150V

커패시턴스 @ Vr, F

20pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

T-18, Axial

공급자 장치 패키지

TS-1

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

V2P6-M3/H

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

eSMP®

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

630mV @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

200µA @ 60V

커패시턴스 @ Vr, F

195pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AD

공급자 장치 패키지

MicroSMP (DO-219AD)

작동 온도-접합

-40°C ~ 150°C

SK56C R7G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io)

5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

750mV @ 5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 60V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AB, SMC

공급자 장치 패키지

DO-214AB (SMC)

작동 온도-접합

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